تقنية

ترانزستورات جديدة من IBM و Samsung قد تعزز كفاءة الرقاقات القادمة

أعلنت كلاً من IBM و Samsung عن طفرة جديدة في تصميم أشباه الموصلات، حيث قدمت الشركتين تصميم جديد لتكديس الترانزستورات بشكل عمودي في الرقاقة.

تتميز الترانزستورات الحالية بتصميم مسطح على سطح السيليكون لدعم تدفق التيار الكهربي من جانب إلى أخر، بينما تتميز الترانزستورات الجديدة بتصميم عمودي يدعم تدفق التيار بشكل رأسي.

من جانب أخر يدعم هذا التصميم خفض إهدار الطاقة مع زيادة التدفق، لذا من المتوقع أن تأتي VTFET بآداء أسرع مرتين أكثر مع إستهلاك أقل للطاقة بنسبة 85% مقارنة بالرقاقات المميزة بترانزستورات FinFET.

من جانب أخر يدعم هذا التصميم خفض إهدار الطاقة مع زيادة التدفق، لذا من المتوقع أن تأتي VTFET بآداء أسرع مرتين أكثر مع إستهلاك أقل للطاقة بنسبة 85% مقارنة بالرقاقات المميزة بترانزستورات FinFET.

كما تؤكد IBM و Samsung على أن التصميم الجديد من شأنه أن يدعم الهواتف لاحقاً في الإستمرار بعمر شحن يصل إلى أسبوع كامل، كما ستدعم تنفيذ المهام المكثفة مثل مهام التشفير بإستهلاك أقل للطاقة مما يعزز حماية البيئة لاحقاً.

المصدر

المصدر : التقنية بلا حدود.



المصدر : مجمع التقنية.

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *

زر الذهاب إلى الأعلى